含羞草的繁殖方法

[00111594]含羞草的繁殖方法

交易价格： 面议

类型： 专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：CN200410051960.7

交易方式： 完全转让

联系人： 华南师范大学

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所在地：广东广州市

对所交付的所有资料进行保密

技术详细介绍

　　含羞草的繁殖方法，它在现有技术五步骤--(1)外植体消毒,(2)萌发无菌苗,(3)诱导愈伤组织,(4)诱导不定芽发生和(5)培养生根的基础上对步骤(3)～(5)进行改进：步骤(3)采用MS+2mg/L2，4-D+0.2mg/L6-BA培养基；步骤(4)采用MS+1.0-2.0mg/L6-BA+0-0.5mg/LTDZ培养基或者B5+1.0-2.0mg/L6-BA+0-0.5mg/LTDZ培养基；步骤(5)采用B5+2mg/LIAA、1/2MS+0.5-2mg/LIBA、或者1/2MS+0.5-2mg/LNAA培养基。本方法能明显提高含羞草的无性繁殖系数，且操作简便。

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